TK100A10N1,S4X
Obrázky jsou pouze pro referenční účely
Viz specifikace produktu
Viz specifikace produktu
757-TK100A10N1S4X
TK100A10N1,S4X
Výrobce:
Popis:
Tranzistory MOSFET MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V
Tranzistory MOSFET MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V
Technické informace:
Na skladě: 141
-
Na skladě:
-
141 Lze odeslat ihnedDošlo k neočekávané chybě. Zkuste to prosím znovu později.
-
Dodací lhůta výrobce
-
20 týdny/týdnů Odhadovaná doba výroby v závodě pro větší množství než je zobrazeno.
Stanovení ceny (CZK)
| Množství | Jednotková cena |
Rozš. cena
|
|---|---|---|
| 116,89 Kč | 116,89 Kč | |
| 61,84 Kč | 618,40 Kč | |
| 57,47 Kč | 5 747,00 Kč | |
| 48,26 Kč | 24 130,00 Kč |
Technické informace
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- TARIC:
- 8541290000
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
