Zdá se, že ve svém prohlížeči máte vypnutý JavaScript. Některé funkce na této stránce nebudou fungovat, dokud se nepřihlásíte.

Vidíte nějakou chybu?

PSMN2R0-30BL,118

Obrázky jsou pouze pro referenční účely
Viz specifikace produktu

Č. Mouser:

771-PSMN2R0-30BL,118

Výr. Č.:

PSMN2R0-30BL,118

Výrobce:

Nexperia

Popis:

Tranzistory MOSFET Std N-chanMOSFET

Životní cyklus:

Konec životnosti:

Plánované vyřazení z výroby vzhledem k zastarání.

Technické informace:

PSMN2R0-30BL,118 Technické informace (PDF)

Model ECAD:

Stáhněte si zdarma Library Loader, kterým převedete tento soubor na formát požadovaný vaším nástrojem ECAD. Více informací o modelu ECAD.

Upozornění na zásilku:

Společnost Mouser v současnosti tento výrobek ve vaší oblasti nenabízí.

Dostupnost

Na skladě:: Došlo k neočekávané chybě. Zkuste to prosím znovu později.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Vlastnost produktu	Hodnota vlastnosti	Zvolit atribut
Výrobce:	Nexperia
Kategorie produktu:	Tranzistory MOSFET
Omezení dodávky:	Společnost Mouser v současnosti tento výrobek ve vaší oblasti nenabízí.
RoHS::
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Styl montáže:	SMD/SMT
Obal / Pouzdro:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem:	30 V
Balení:	Reel
Balení:	Cut Tape
Balení:	MouseReel
Značka :	Nexperia
Typ produktu:	MOSFETs
Množství v balení od výrobce:	800
Podkategorie:	Transistors
Další názvy dílu č.:	934066341118
Jednotková váha:	4 g

Nalezené produkty:

Chcete-li zobrazit podobné produkty, zaškrtněte alespoň jedno pole

Chcete-li v této kategorii zobrazit podobné produkty, zaškrtněte nahoře alespoň jedno pole.

Vybrané atributy: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Filtr dokumentů:

Technické informace

PSMN2R0-30BL,118 Technické informace (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs - EXPANSION - INACTIVE

Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs have been expanded by adding additional drain current (I_D), drain-source on-state resistance (R_DS(on)), gate-drain charge (Q_GD), and total power dissipation (P_tot) ratings. All of these packages are qualified with a junction temperature up to 175ºC. They are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. They are highly efficient due to low switching and conduction losses and are suitable for standard level gate drive sources. Some of these are optimized for 4.5V gate drive utilizing NextPower Superjunction technology and have ultra-low Q_G, Q_GD and Q_OSS for high system efficiencies at low and high loads. Typical applications for these devices include dc-to-dc converters, load switching, motor control, synchronous buck regulators, and server power supplies.
Learn More

Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs include standard and logic level, regular and enhancement mode, N-Channel MOSFETs in LFPAK, I2PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages qualified to 150°C or 175°C. These Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. The Nexperia logic level enhancement mode N-Channel MOSFETs in LFPAK packages feature ultra low Q_G, Q_GD, and Q_OSS for high system efficiencies at low and high loads, and ultra low R_DSon and low parasitic inductance. They are also optimized for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. The Nexperia standard and logic level N-Channel MOSFETs in I2PAK and TO-220 packages feature high efficiency due to low switching and conduction losses and are suitable for standard or logic level gate drive sources.

View the entire PSMNxxx Series N-Channel MOSFETs