STGAP2SICS

STMicroelectronics
511-STGAP2SICS
STGAP2SICS

Výrobce:

Popis:
Galvanicky izolované hradlové budiče Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
Dokončete svůj návrh

Technické informace:
Model ECAD:
Stáhněte si zdarma Library Loader, kterým převedete tento soubor na formát požadovaný vaším nástrojem ECAD. Více informací o modelu ECAD.
Více informací
Další informace o STMicroelectronics STGAP2SICS

Na skladě: 787

Na skladě:
787 Lze odeslat ihned
Dodací lhůta výrobce
25 týdny/týdnů Odhadovaná doba výroby v závodě pro větší množství než je zobrazeno.
U tohoto produktu je dlouhá dodací lhůta.
Minimum: 1   Vícenásobné: 1
Jednotková cena:
-,-- Kč
Rozš. cena:
-,-- Kč
Předp. Clo:

Stanovení ceny (CZK)

Množství Jednotková cena
Rozš. cena
64,26 Kč 64,26 Kč
48,26 Kč 482,60 Kč
40,26 Kč 1 006,50 Kč
38,56 Kč 3 856,00 Kč
37,10 Kč 9 275,00 Kč
36,13 Kč 18 065,00 Kč
34,92 Kč 27 936,00 Kč
34,19 Kč 82 056,00 Kč
33,47 Kč 187 432,00 Kč

Alternativní balení

Výr. Č. části:
STGAP2SICSTR
Balení:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Dostupnost:
Na skladě
Cena:
149,14 Kč
Min:
1

Vlastnost produktu Hodnota vlastnosti Zvolit atribut
STMicroelectronics
Kategorie produktu: Galvanicky izolované hradlové budiče
RoHS::  
STGAP2SICS
SMD/SMT
SO-8W
5 kV
- 40 C
+ 125 C
90 ns
30 ns
30 ns
Tube
Značka : STMicroelectronics
Konfigurace: Non-Inverting
Citlivé na vlhkost: Yes
Počet ovladačů : 1 Driver
Poèet výstupù: 1 Output
Výstupní proud: 4 A
Výrobek: Isolated Gate Drivers
Typ produktu: Galvanically Isolated Gate Drivers
Množství v balení od výrobce: 800
Podkategorie: PMIC - Power Management ICs
Napájecí napětí - Max: 5.5 V
Napájecí napětí - Min: 3 V
Technologie: SiC
Typ: Half-Bridge
Jednotková váha: 150 mg
Nalezené produkty:
Chcete-li zobrazit podobné produkty, zaškrtněte alespoň jedno pole
Chcete-li v této kategorii zobrazit podobné produkty, zaškrtněte nahoře alespoň jedno pole.
Vybrané atributy: 0

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

STGAP2SICS Single Gate Drivers

STMicroelectronics STGAP2SICS Single Gate Drivers provide galvanic isolation between the gate driving channel, low voltage control, and interface circuitry. The gate drivers are characterized by 4A capability and rail-to-rail outputs, making the devices suitable for mid and high-power applications such as power conversion and motor driver inverters in industrial applications. The device is available in two different configurations. The configuration with separated output pins (STGAP2SICSTR) allows users to optimize turn-on and turn-off using dedicated gate resistors independently. The configuration featuring a single output pin and Miller CLAMP function (STGAP2SICSCTR) prevents gate spikes during fast commutations in half-bridge topologies. Both configurations provide high flexibility and a bill of material reduction for external components.

STGAP2SiCD Galvanically Isolated Dual Gate Driver

STMicroelectronics STGAP2SiCD Galvanically Isolated 4A Dual Gate Driver is designed for galvanic isolation between each gate driving channel and the low voltage control and interface circuitry. The STGAP2SiCD gate driver is defined by 4A current capability and rail-to-rail outputs, ideal for mid and high power applications such as power conversion and industrial motor drivers inverters.

Došlo k neočekávané chybě.


Máte nějaké otázky? Navštivte Centrum nápovědy.
Pro otázky týkající se konkrétní objednávky se prosím přihlaste ke svému účtu.

Pokud narazíte na další problémy, kontaktujte nás prosím na čísle 800-346-6873 nebo zašlete e-mail na help@mouser.com.