1200V SIC MOSFETs

Microchip Technology 1200V SIC MOSFETs offer high efficiency in a lighter, more compact solution. The devices supply low internal gate resistance (ESR), resulting in a fast switching speed. The MOSFETs are simple to drive and easy to parallel, with improved thermal capabilities and lower switching losses.

Výsledky: 8
Zvolit Obrázek Č. dílu
 Výr.
Popis Technické informace Dostupnost Stanovení ceny (CZK) Filtrovat výsledky v tabulce podle jednotkové ceny na základě zvoleného množství.
Množství RoHS Model ECAD Styl montáže
Obal / Pouzdro
Polarita tranzistoru
Počet kanálů
Vds – Průrazné napětí mezi kolektorem a emitorem
Id – trvalý proud kolektoru
Rds On – Odpor mezi kolektorem a emitorem
Vgs – Napětí mezi hradlem a emitorem
Vgs th – Prahové napětí mezi bází a emitorem
Qg – náboj báze
Minimální provozní teplota
Maximální provozní teplota
Pd – chlazený výkon
Kanálový režim
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch
Technické informace
115Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 24 mOhms - 10 V, 21 V 3 V 136 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
Technické informace
65Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 33 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 109 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm TO-247-4 Notch
Technické informace
115Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 40 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 91 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
Technické informace
115Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Thorugh Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 53 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 256 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch
Technické informace
120Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 60 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 61 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm TO-247-4 Notch
Technické informace
117Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 80 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 45 nC - 55 C + 175 C 192 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch
Technické informace
81Na skladě
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 107 mOhms - 10 V, + 21 V 5 V 34 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement
Microchip Technology MOSFETy SiC MOSFET SIC 1200 V 31 mOhm TO-247-4 Notch
Technické informace
Termín dodání, pokud není na skladě 6 týdny/týdnů
Minimum: 1
Vícenásobek: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 42 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 70 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement